機械設備: 刻蝕設備 半導體設備國產化的前沿陣地

　　刻蝕設備或是半導體設備國產化前沿陣地，關注技術領先的本土設備龍頭

　　我們認為，受益于半導體產能投資擴張和戰略支持，本土設備產業迎來“最好的時代”，刻蝕設備有望成為國產化前沿陣地。雖然海外巨頭壟斷全球市場，中外刻蝕設備仍存差距，但上海中微半導體(未上市)、北方華創等本土企業刻蝕設備的技術積累和國產化布局正穩步推進，有格局、重研發、有耐心的優秀企業有望率先脫穎而出獲得國內外晶圓制造企業認可。

　　刻蝕是復制掩膜圖案關鍵步驟，CCP、ICP、ECR等類刻蝕設備應用廣泛

　　刻蝕是使用化學或者物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的過程，是完成光刻工藝后復制掩膜圖案的關鍵步驟。刻蝕工藝分為干法、濕法刻蝕，具有良好各向異性和工藝可控性的干法刻蝕是芯片制造中實現介質刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕的主要技術路徑。具體而言，高密度等離子體刻蝕是目前用于先進制程工藝中刻蝕關鍵層的重要方法，CCP(電容耦合)、ICP(電感耦合)、ECR(電子回旋加速振蕩)等類刻蝕機應用廣泛，原子層刻蝕(ALE)設備或是未來發展方向。

　　中國大陸半導體設備需求高漲，刻蝕設備18~20年年均市場或達331億元

　　受益于本土半導體產能投資擴張，中國大陸半導體設備市場需求高漲，SEMI預計19年中國大陸將超越韓國位居全球第一大設備市場(173億美元)。據我們梳理，18~20 年中國大陸12、8 寸晶圓廠建設投資將達7087 億元(內資5303 億元)，年均2362 億元(內資1768 億元)，我們預計18~20 年刻蝕設備合計市場空間或達992億元，年均331億元；其中18~20 年內資晶圓廠的刻蝕設備空間有望達742億元，年均247億元。

　　全球刻蝕設備行業高度集中，17 年三大龍頭占據全球市場94%。隨著半導體技術進步中器件互連層數增多，介質刻蝕設備使用量不斷增大，拉姆研究利用其較低的設備成本和相對簡單的設計在65、45nm 設備市場超過對手，占據全球市場半壁江山，份額從12年的約45%提升至17年的約55%。由拉姆研究、東京電子、應用材料三大全球刻蝕設備龍頭的發展史可見，刻蝕設備技術壁壘較高且迭代較快，只有始終聚焦核心技術自主研發，緊密綁定下游晶圓廠技術進步的制造商才能在長期競爭中勝出。

　　國產刻蝕設備制造商奮起直追，進口替代歷史機遇漸行漸近

　　我們認為國內刻蝕設備、測試設備、硅片制造設備等領域細分龍頭有望較快實現國產化突破并率先兌現業績高增長。目前上海中微半導體7nm 等離子刻蝕機已在國際一流集成電路產線上量產使用，達到國際先進水平；北方華創硅刻蝕機也已突破14nm 技術，進入主流芯片代工廠。我們認為雖然中外刻蝕設備仍存在較大差距，但有格局、重研發、有耐心的團隊將有望獲得國內外晶圓制造企業認可。

　　風險提示：宏觀經濟下行及半導體行業周期性波動，國內芯片制造技術突破慢于預期、產業投資不及預期，國內半導體設備技術突破慢于預期。

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